RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
62
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
62
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1586
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link