Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB

-->

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Средняя оценка

Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB

Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 62

Около 53% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.0 6.0

Среднее значение в тестах

Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB

Причины выбрать
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.1 13.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 62
Скорость чтения, Гб/сек

13.4 16.1
Скорость записи, Гб/сек

9.0 6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2423 1586

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Kingston 9965600-023.A00G 16GB

Kingston 9965600-023.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-058.A00LF 8GB

Kingston 9965525-058.A00LF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB

Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB

Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

модули RAM