RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
62
Около 53% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
6.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
62
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1586
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link