RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
62
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
29
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3754
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link