RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
62
73
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
73
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
1744
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link