RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
62
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
30
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3465
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
INTENSO 5641160 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link