RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
62
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
29
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3408
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link