RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
62
Intorno -114% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
29
Velocità di lettura, GB/s
7.4
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
3408
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 9905471-054.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link