RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
62
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
31
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3598
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link