RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
62
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
28
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3367
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.A1GDE.CP00C 2GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link