RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
62
Wokół strony -170% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
23
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2809
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link