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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
62
Por volta de -170% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
23
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
12.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
2809
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
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