RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
62
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
33
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2466
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link