RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
62
Wokół strony -182% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
22
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2340
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link