RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
62
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
30
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3327
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link