RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
62
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
30
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3327
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link