RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
62
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
38
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2569
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link