RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
62
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
26
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2389
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link