RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
62
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
31
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3443
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kllisre 0000 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link