RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
62
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
35
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2660
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link