RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
62
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
31
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3753
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link