RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
62
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
29
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2601
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link