RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
62
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
26
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3818
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link