RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
62
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.6
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
51
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2359
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link