RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
62
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
34
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2783
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link