RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
62
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
34
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2783
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link