RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
62
Wokół strony -226% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
19
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
18.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3543
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link