RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
62
Por volta de -226% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.8
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.0
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
19
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
19.8
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
18.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
3543
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link