RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
62
Wokół strony -158% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
24
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2434
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link