RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
AMD R748G2606U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
61
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
AMD R748G2606U2S 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
61
Prędkość odczytu, GB/s
8.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1344
2028
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
AMD R748G2606U2S 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965432-082.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link