RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
AMD R748G2606U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
61
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
AMD R748G2606U2S 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
61
Prędkość odczytu, GB/s
8.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1344
2028
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link