RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1668
2382
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link