RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
43
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
5.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
30
43
Prędkość odczytu, GB/s
8.8
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
10600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1344
1889
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link