RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
43
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
5.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
30
43
Prędkość odczytu, GB/s
8.8
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
10600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1344
1889
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link