RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs AMD R744G2400U1S 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
AMD R744G2400U1S 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R744G2400U1S 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
65
Wokół strony -195% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2862
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link