RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
65
Wokół strony -160% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2935
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link