RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
65
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3239
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link