RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
65
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2865
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link