RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
65
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2701
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link