RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
65
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3099
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link