RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
65
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.6
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
17.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
4000
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link