RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
65
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3825
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link