RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
65
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3857
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link