RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
65
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2408
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
INTENSO 5641152 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link