RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
22.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
65
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
22.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3871
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link