RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
94
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
94
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
1390
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link