RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
65
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3091
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link