RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
65
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2543
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link