RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
65
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2660
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link