RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2900
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link