RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
65
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2867
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991988 (996988) 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link