RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
65
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3332
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link