RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
65
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2994
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link