RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
65
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
4072
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link